ICCSZ訊（編輯：Cathy）在上月底的2013光纖通信發展報告會上，光迅科技研發部周亮博士作了《光集成是高速光通信器件發展的必由之路》的報告，報告從市場對光集成的需求談起，引入到100G、40G高速光器件中集成技術的應用，重點介紹了在100G傳輸網和40G接入網以及100G數據中心用集成光器件發展。

　　光通信市場迎來新增長 光集成應用越來越廣泛

　　報告指出，2012年以后，光通信市場將迎來新的增長，主要由廣域網中100G、ROADM市場和數據中心市場驅動。“寬帶中國”戰略的落實將推動光接入網市場的繁榮。光器件將向更高階調制格式和更多通道數、更高單通道速率發展。從高速光模塊來看，從CFP分立式到CFP 2/CFP 4集成化，光集成技術的應用將越來越廣泛。周博士具體指出從封裝形式來看CFP到CFP4，外觀尺寸縮小很多，功耗等級越來越低。

　　具體到有源、無源芯片間的混合集成按照光合波/分波器(MUX/Demux)構型可以分為：基于硅基二氧化硅波導PLC的混合集成和基于薄膜濾波片TFF的混合集成。按照耦合工藝分類可以分為：無源對準耦合(高精度貼片工藝)和有源對準耦合(加電、透鏡耦合)。

　　其中基于硅基二氧化硅波導PLC的混合集成，采用直接對準耦合。1dB光損耗內，水平耦合容差在0.5um，在AWG端采用模斑變換其可將耦合損耗減小3dB，1dB耦合容差增加到1um。在AWG端采用模斑變換其可將耦合損耗減小5dB，1dB耦合容差增加到2um。

　　基于硅基二氧化硅波導PLC的混合集成，采用加電、透鏡耦合方式，平行光軸方向的耦合容差，1dB光損耗內，水平耦合容差在20um。垂直光軸方向的耦合容差，1dB光損耗內，水平耦合容差在1um。

　　10G EPON規模商用 下一代數據中心圍繞單模光纖/邊發射激光器展開

　　報告還提到10G EPON 2013年規模商用，40G堆疊TWDM-PON成為NG-PON2主流, FSAN標準進展順利，預計2015年商用。接入網絡將升級平滑，兼容10G PON、GPON、EPON。用戶數和用戶帶寬兼顧，具有經濟性和實用性。

　　40G 光接入網(TWDM-PON)從多波長OLT來看，主要是4通道/8通道的激光器與光合波器、探測器與光分波器間的集成。從用戶端可調波長的ONU來看，集成主要體現在波長可調元件與激光器/探測器的混合集成。業界也已經推出40G接入網中的集成器件即波長可調諧激光器如JDSU / Oclaro的InP基單片集成可調諧激光器和NTT的InP基單片集成可調諧激光器陣列。

　　從100G數據中心用器件來看，下一代數據中心傳輸距離的預期為150m~2km，因此下一代數據中心將圍繞單模光纖/邊發射激光器展開。光迅也將致力于接入網、傳輸網絡、數據中心網絡應用的高速光器件的開發。

　　現有的40G QSFP+數據中心用光模塊是基于VCSEL和陣列多模光纖的數據中心光模塊方案，采用高精度無源貼裝技術，采用Chip-on-board工藝實現低成本。后續100G數據中心用集成光器件靠硅光集成來實現，比如采用硅基單片和混合集成技術的100G光收發芯片和采用硅基單片和混合集成技術的100G 有源光纜產品。最后周博士還對比了單片集成和混合集成各自從在性能體現的不同優劣勢。

　　結語

　　光通信器件是光纖通信系統的基礎與核心，是光纖通信領域中具有前瞻性、先導性和探索性的戰略技術，體現了一個國家在光通信技術領域的水平和能力。光器件全球化的競爭格局已經形成，隨著國內光電子器件廠商研發能力、生產工藝的提高，再加上產品的成本優勢，國外通信系統設備廠商也增加了對國內光電子器件產品的采購力度。集成器件技術的發展正在經歷從科研到產業化的轉化期，他呼吁國內的光器件企業一定要抓住這樣一個戰略機遇期，努力開發有核心競爭力的高端器件，走上良性發展的康莊大道。

　　周博士表示，光迅科技也期待作為國內行業的龍頭企業可以在集成技術應用方面走在世界前列，為中國光通信產業揚威。訊石在此也祝國內光器件企業早日實現宏愿，在國際上贏得更多話語權!