ICC訊 據臺媒報道，業內人士透露，目前臺積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發進度都將放緩。

  此前，按臺積電公布的計劃，3nm將于今年完成認證與試產，2022年投入大規模量產，甚至業界有傳聞稱蘋果已率先包下臺積電3nm初期產能，成為臺積電3nm的第一批客戶。

  此前業界預計臺積電和三星的3nm工藝都會在2022年實現量產，而臺積電有望領先三星至少半年。

  此前臺積電曾宣稱，其3nm工藝會比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%，功耗將降低20%-25%。

  臺積電2020年營收持續創新高，臺積電董事長劉德音此前曾表示，為提前布局3nm，臺積電已累計投資超過2萬億元新臺幣，目標是3nm量產時，12 英寸晶圓月產能超過60萬片。而為了爭奪市場，三星晶圓代工業務準備投入1160億美元，以實現在3nm工藝上趕超臺積電。

  雖然三星和臺積電都在研發3nm工藝，但兩者采用的技術并不相同，臺積電采用了成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET)，而三星則采用了環繞柵極晶體管技術(GAA)。