ICCSZ訊   硅光領軍企業之一SiFotonics Technologies宣布成功開發100G/200G全集成相干發射接收機一體芯片TR4Q11，為Metro客戶應用提供更加小型、更低成本、更高集成度的解決方案。

　　2015年底，SiFotonics曾推出100G全集成相干接收機芯片CR4Q01。值此一年之際，SiFotonics集成芯片團隊再次成功開發出100G/200G全集成相干發射接收芯片。此產品符合OIF正在制定中的IC-TROSA應用協議，并能夠兼容支持100G DP-QPSK 和200G DP-16QAM系統傳輸。

　　TR4Q11單片集成了一系列由SiFotonics獨創的光纖波導耦合器、偏振旋轉分束/合束器、90°混頻器、8個40GHz Ge/Si波導型光探測器陣列、8個25GHz IQ調制器、可調光衰減器及MPD等，共計多達60多個有源和無源光波導元件被集成到面積僅為6.45×7.7 mm²的光芯片中，是目前報道的最高集成度的光集成芯片之一。高集成度不僅僅帶來封裝尺寸減小，更重要的是通過高度集成技術大幅降低光器件封裝復雜度、封裝時間和封裝成本，從根本上突破光器件一直以來的封裝成本過高的局限。

　　圖： (左)100G/200G全集成相干發射接收芯片;(右)發射機星座圖

　　SiFotonics負責硅光子芯片工藝開發的資深總監洪菁吟博士提到：“盡管用于制造IC芯片的CMOS工藝已經非常先進和成熟，然而將其用于制造硅光集成芯片卻并不是那么容易——這花費了我們近十年的時間，解決了數不清的工藝和設計難題。最終我們開發出了適用于硅光集成器件制造的CMOS工藝，開始硅光芯片的大批量生產，先是單個探測器與探測器陣列芯片, 然后是全集成收發芯片。”

　　SiFotonics CEO潘棟博士補充道：“盡管從事光電器件的開發已有20余年, 還是第一次看到如此高集成度的光芯片, 連同我們前些日子報道的業界最高性能25G APD 芯片, 硅光時代已經來到。在銷售市場上我們的新產品海內外訂單旺盛, 擴產壓力增大, 內部對各方面人才的需求也與日俱增，特別是高端100G和相干器件的設計、封裝、測試等方面。我們一路走來，相信碩果已不遙遠。”

　　關于SiFotonics：

　　SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術的開創者與領導者，為客戶提供下一代高速通訊解決方案。自2006年以來，公司一直致力于建立硅光子技術的領導地位。通過與CMOS Foundry合作開發專屬硅光產線, SiFotonics已實現鍺硅光電探測器(Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器(Ge/Si APD)等產品的量產化，目前該產線已完成硅光子集成技術的相關工藝開發，且100G/400G全集成相干接收芯片已準備量產。