ICCSZ訊 近日，國際領先的硅光技術公司之一SiFotonics正式推出面向下一代數據中心的400G DR4硅光全集成芯片MP5041，及單通道100G DR1集成芯片MP5001。

  面向400G DR4的MP5041芯片集成了超過30個有源/無源硅光器件(包括4通道53GBaud硅基MZ調制器，4通道53GBaud波導Ge/Si探測器，光功率監控探測器，在片負載，在片電容，以及多個無源波導器件等)。這款高度集成芯片的整體面積在幾十mm2量級，滿足下一代400G小型化模塊(如QSFP56-DD, COBO等)的尺寸需求。這種高集成度解決方案將為數據中心400G傳輸帶來封裝難度和成本的大幅下降，這對400G的大規模商用至關重要。

  MP5041芯片中的硅光調制器采用了SiFotonics的最新結構設計和優化工藝，插入損耗和驅動電壓均較低，器件的高帶寬特性使得在高速工作時仍能保證較大的消光比，所有重要指標滿足400G DR4模塊發射端應用要求。下圖是該調制器50G的NRZ光眼圖：

  測試條件: Vpp=3V, 50Gb/s NRZ, RT

  此外，該集成芯片中探測器也采用了SiFotonics的最新波導探測器設計，同時實現了高帶寬、高響應度和低暗電流，所有重要指標滿足400G DR4模塊接收端應用要求。下圖是該探測器S21曲線：

  測試條件:-13dBm, 50-Ohm load, RT

  除了4通道集成芯片以外，SiFotonics也同步推出了單通道100G DR解決方案MP5001。該芯片集成了單通道53GBaud硅基MZ調制器和單通道53GBaud波導Ge/Si探測器，以及相應的有源/無源硅光器件。該芯片將助力100G DR在數據中心和5G無線傳輸中的應用。

  隨著數據中心100G的大規模應用，400G的大規模應用就在2019-2020左右發生。SiFotonics CEO潘棟博士表示：“由于硅光的特性，例如缺乏激光器和較大的調制器損耗，一開始，我們布局于開發高靈敏度探測器的制作來彌補硅光器件的損耗要求。現在，經過十年的原創積累，我們的北京團隊和半導體CMOS廠緊密合作，走出一條新路，已全面掌握了材料、光器件設計及制作工藝(包括完整的PDK)，特別是光集成芯片的集成技術。自有的芯片設計到流片，可在3個月左右完成，使得我們可以在過去一年中相繼推出國際領先的56GBaud高靈敏度APD芯片，100G/400G 相干接收機，現在又推出針對400G的DR4芯片。我們認為在400G數據中心和相干技術的應用上，硅光的優勢會十分明顯，硅光技術的大規模應用會很快到來。”

  關于SiFotonics：

  SiFotonics Technologies是國際硅光子器件與集成技術的開創者與領導者，為客戶設計、制造和提供下一代高速光電集成解決方案。自2006年以來，公司一直致力于硅光子技術的研發與產品化，與CMOS Foundry合作開發專屬硅光產線。SiFotonics已實現鍺硅光電探測器 (Ge/Si PIN)、鍺硅雪崩光電探測器 (Ge/Si APD) 等產品的量產化，現已向市場全面推出10G/25G/56G PIN和APD芯片及其陣列，覆蓋波長范圍850nm~1577nm。目前該產線也已完成硅光子集成技術的相關工藝調試，并成功試產高性能100G相干接收機芯片CR4Q01。