硅波導的典型尺寸為500nm*220nm，這主要是為了滿足單模條件的要求。該尺寸同時支持TE0模和TM0模式，模場分布如下圖所示，

  對于TE模，電場的水平分量占主導，對于TM模，電場的豎直分量占主導。需要說明的是，無論哪種模式，電磁場在其他方向上都是有分量的，和傳統的TE偏振、TM偏振有些區別，因而也稱其為quasi-TE, quasi-TM模。

  從上圖中可以看出，TM模的光場主要分布在波導的上下兩個面，而TE模主要分布在兩個側面。由于上下兩個底面不是通過刻蝕形成的，其粗糙度小于側壁的粗糙度。因此TM模的傳輸損耗要小于TE模。盡管如此，光芯片中仍然使用的是TE模式，主要原因有：1)調制器僅支持TE模式，其需要通過脊形波導形成電學結構，2)TM模的彎曲半徑更大。

  對于transceiver來講，其發送端可以保持工作在TE偏振下，但是當光經過光纖傳輸后，到達發送端的光場偏振狀態已經發生了變化，部分光變成了TM光。為了解決這一問題，人們提出了多種片上偏振相關器件。

  1. TE-pass polarizer

  通過一定的結構設計，使得TE模通過，而TM模被過濾掉，其作用類似偏振片。有多種結構：

  a) 級聯彎曲波導

(圖片來自文獻1)

  主要利用TM模的彎曲損耗較大的性質，經過多個彎曲波導后，TM模基本散射到襯底中，TE模則不受影響。

  b)非對稱的定向耦合器

  結構如下圖所示，

(圖片來自文獻2)

  通過選取合適的波導寬度，使得原波導中的TM0模式轉變為寬波導中的TM1模，進而散射到襯底中，而TE0模仍然在原波導中傳播，不受影響。

  3)寬度漸變的脊形波導

  其結構如下圖所示，

(圖片來自文獻3)

  該結構主要利用條形波導的TE0模可轉換為脊形波導的基模，TM0模無法完成類似的轉換，散射到襯底中。

  2. Polarization splitter and rotator

  該器件(以下簡稱PSR)的主要作用是將TM模和TE模分開在不同路徑傳播，并且TM模轉換為TE模。PSR的結構非常之多(可參看浙大戴道鋅老師的綜述文獻), 但是總結下來，不外乎兩大類。

  a) mode-evolution

  利用bi-level taper, 使得TM0模式轉換為TE1模式，進而利用不對稱的定向耦合器，使得TE1模式轉變為TE0模式。典型的結構如下圖所示，

(圖片來自文獻4)

  b) mode-coupling

  該結構主要利用不對稱的定向耦合器，使得一根波導的TM模式與另一根波導的TE模式的有效折射率相等，兩者滿足相位匹配條件，TM模式轉換為另一根波導中的TE模式，典型的結構如下圖所示，

(圖片來自文獻5)

  基于PSR, 人們提出了polarization diversity的方案，也就是在兩個輸出端口連接相同的接收光路，如下圖所示。該方案將同一光路復制兩份，芯片的尺寸增大一倍。

  (圖片來自https://res-www.zte.com.cn/mediares/magazine/publication/com_cn/article/201804/ZHAOYingxuan.pdf)

  另外一種方案是基于MZI進行反饋控制，使得兩路中的TE模式進行干涉，最終光場全部集中在一根波導中，如下圖所示。該方案需要設計反饋控制算法。

(圖片來自文獻6)

  此外偏振不敏感的edge coupler也是其中的一個關鍵器件，典型的結構為懸臂梁型端面耦合器, 硅波導的tip寬度為90nm左右，如下圖所示，

(圖片來自文獻7)

  使用單模光纖，該結構的TE與TM模的耦合損耗都可以達到1.3dB。

  以上是對硅光芯片中偏振相關器件的一個總結，由于硅波導的寬度與高度不等，決定了其對偏振敏感，進而需要額外的器件來操控偏振自由度, 使得光場保持在TE模式。而其他材料體系的光芯片，波導可以制備成方形，也就不存在偏振敏感的問題。另外，由于波導加工的不完美性，導致波導結構存在不對稱，進而使得光場偏振性質發生改變。在分析實驗結果的時候，可能會遇到這一問題。

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