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臺積電2nm工藝重大突破!

摘要:現在據臺媒報道,臺積電2nm工藝取得重大突破。

 ICC訊  一直以來臺積電在半導體領域都是處于全球領先水平,其5nm工藝制程的芯片已經大規模量產。現在據臺媒報道,臺積電2nm工藝取得重大突破。

  據報道,臺積電2nm工藝取得重大突破,研發進度超前,業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。

  供應鏈透露,有別于3nm和5nm采用鰭式場效應晶體管(FinFET),臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架構。

  據了解,臺積電去年成立了2nm專案研發團隊,尋找可行路徑進行開發。現在在2nm工藝上有所突破也將在未來代工方面帶來優勢。

  現在臺積電5nm工藝已經獲得了蘋果的訂單,其它產能也被高通、ADM等廠商占用,如果2nm工藝量產,那么勢必比競爭對手快一大截,將會獲得更多的訂單。

內容來自:中國半導體論壇
本文地址:http://www.welmoon.com//Site/CN/News/2020/09/27/20200927012746121801.htm 轉載請保留文章出處
關鍵字: 臺積電
文章標題:臺積電2nm工藝重大突破!
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