ICC訊 近日，中國通信標準化協會(CCSA)在西安召開傳送網與接入網技術工作委員會(TC6)第二十三次會議，國家信息光電子創新中心(以下簡稱創新中心)提交的4項光器件行業標準和課題在光器件工作組通過立項評審。這是繼2019年創新中心牽頭提出的行業標準研究課題“100GBaud及以上高速光收發器件的研究”獲批后，又一次在產品標準化工作方面取得的重要進展。

  隨著我國5G網絡建設的加速實施以及全球5G業務的蓬勃發展，云服務、物聯網、AR/VR、人工智能、無人駕駛等新應用的興起對高速傳輸網絡和數據中心交換速率提出了更高的要求。下一代800Gb/s的接口速率成為大勢所趨，開展800Gb/s光器件的產品開發和標準研究工作逐漸成為行業共識。

  在本次光器件工作組會議上，創新中心聯合中信科集團、中國信息通信研究院、中興通訊等國內優勢單位，圍繞800Gb/s光器件及光電共封技術，共提交4項光器件行業標準和研究課題，均成功立項，其中牽頭2項，分別是行業標準“800Gb/s強度調制可插拔光收發合一模塊 第2部分：4×200Gb/s”和標準課題“光電合封技術研究”，參與2項，分別是“800Gb/s強度調制可插拔光收發合一模塊 第1部分：8×100Gb/s”和“集成相干發射機與接收機光組件 第3部分： 800Gb/s”。

  作為國家級創新研發機構，國家信息光電子創新中心早已率先布局800Gb/s光器件和傳輸系統研究，近期研制出全球首款800G硅光調制器芯片，速率達到現有主流商用速率的16倍;研制出超高速鈮酸鋰薄膜光調制器芯片，實現了單通道速率120Gb/s OOK及220Gb/s PAM4的光強度調制，以及110GBaud QPSK及80GBaud 16-QAM的相干光調制，為世界最快速的光子芯片之一，這些成果為800Gb/s光器件產品開發和標準制訂提供了數據支撐和編制基礎。

  在工信部、省市區各級地方政府的關懷和支持下，創新中心各項建設內容穩步推進，已基本建成四大主體研發平臺，具有國際一流的高端光電子芯片技術研發能力，并先后取得國內首款100G硅基相干光收發芯片、25G高速電吸收調制激光器芯片等一系列重大成果，多款光芯片產品實現了國產化替代，解決了多項產業面臨的“卡脖子”問題，對信息通信產業發展和“新基建”建設起到了顯著的支撐和帶動作用。面向未來信息產業發展重大戰略，創新中心將充分利用現有資源，發揮行業引領示范作用，以本次行業標準立項為契機，聯合國內科研和產業重點單位，全力推動自主光電子芯片成果的標準化工作。

800G及以上速率光模塊全球市場預測